美国KRI考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

2025年03月11日 16:30:23 人气: 248 来源:

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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75: 紧凑栅极离子源, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA。

美国KRI考夫曼离子源 KDC 75 技术参数如下：

通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

型号	KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)
供电	DC magnetic confinement
- 阴极灯丝	2
- 阳极电压	0-100V DC
电子束	OptiBeam™
- 栅极	专用, 自对准
&苍产蝉辫;-栅极直径	7.5 cm
中和器	灯丝
电源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安装	移动或快速法兰
- 高度	7.9'
- 直径	5.5'
- 离子束	聚焦平行散设
&苍产蝉辫;-加工材料	金属电介质半导体
&苍产蝉辫;-工艺气体	惰性活性混合
&苍产蝉辫;-安装距离	6-24”
- 自动控制	控制4种气体

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜(光学镀膜)滨叠础顿

表面改性, 激活 SM

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:

设备: e-beam 电子束蒸发系统

离子源型号: KDC 75

应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)

离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积

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